厦门大学平台管理系统李鑫--中文主页-- Ohmic contact formation of metal/amorphous-Ge/n-Ge junctions with an anomalous modulation of Schottky barrier height

李鑫

访问量：

开通时间：..

最后更新时间：..

当前位置：中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Ohmic contact formation of metal/amorphous-Ge/n-Ge junctions with an anomalous modulation of Schottky barrier height

点击次数：

发表刊物：Applied Physics Letters

合写作者：李鑫

论文类型：Article

通讯作者：陈松岩

卷号：105

期号：19

是否译文：否

发表时间：2014-11-10

上一条：Interfacial nitrogen stabilizes carbon-coated mesoporous silicon particle anodes

下一条：High (111) orientation poly-Ge film fabricated by Al induced crystallization without the introduction of AlOx interlayer