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李煦

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High-efficient and gate-tunable spin transport in GaN thin film at room temperature

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发表刊物：Applied Physics Letters

合写作者：李煦

论文类型：Journal article (JA)

卷号：122

期号：18

是否译文：否

发表时间：2023-05-01

上一条：Controllable and enormous spin splitting in antiferromagnetic MnPSe<sub>3</sub> through interfacial coupling with Janus MoSSe

下一条：Controlling the resistive switching polarity in ReS<sub>2</sub> lateral memristors through the modulation of crystal structures