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    YANG WEIFENG

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    • 所在单位：电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）

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    A trench beside field limiting rings terminal for improved 4H-SiC junction barrier Schottky diodes: Proposal and investigation

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    • 发表刊物：Microelectronics Reliability

    通讯作者：YANG WEIFENG

    论文类型：Journal article (JA)

    卷号：160

    是否译文：否

    发表时间：2023-12-09


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