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    YANG WEIFENG

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    • 所在单位：电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）

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    采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件及制备方法

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    • 所属单位：电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）

    专利范围：国内

    申请专利人：田成义,张传伦,张捷

    专利类型：发明专利

    专利状态：专利申请

    授权号：202310862139.6

    是否职务专利：是

    第一作者：YANG WEIFENG


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