YANG WEIFENG
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所属单位:电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院)
专利范围:国内
申请专利人:袁嘉利,孙游成,石紫亮
专利类型:发明专利
专利状态:专利申请
授权号:202311416595.4
是否职务专利:是
第一作者:YANG WEIFENG
上一条:一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法
下一条:一种紫外光电探测器和二维阵列及其制备方法