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    YANG WEIFENG

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    Lowering the Schottky Barrier Height by Quasi-van der Waals Contacts for High-Performance p-Type MoTe<sub>2</sub> Field-Effect Transistors

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    • 发表刊物：ACS Applied Materials and Interfaces

    合写作者：YANG WEIFENG

    论文类型：Article

    卷号：16

    期号：18

    页面范围：23752-23760

    是否译文：否


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