厦门大学平台管理系统 YANG WEIFENG--中文主页-- Improved β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diodes via thermal oxidation of titanium insertion layer

YANG WEIFENG

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所在单位：电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）

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Improved β-Ga 2 O 3 Schottky Barrier Diodes via thermal oxidation of titanium insertion layer

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发表刊物：Micro and Nanostructures

合写作者：YANG WEIFENG

论文类型：Journal article (JA)

卷号：190

是否译文：否

发表时间：2023-12-06

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