Language : English
YANG WEIFENG

Patents

一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法

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Affilication of Author(s):电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院)

Scope of patent:国内

Patent Applicant:帅浩

Type of Patent:发明专利

State of Patent:专利授权

Application Number:202110974627.7

Authorization number:202110974627.7

Service Invention or Not:yes

First Author:YANG WEIFENG