Hits:

Affilication of Author(s):电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）

Scope of patent:国内

Patent Applicant:陈祖岗,翁宏锦,石紫亮

Type of Patent:发明专利

State of Patent:专利公开

Authorization number:202310563515.1

Service Invention or Not:yes

First Author:YANG WEIFENG

Pre One:一种用于SiC功率器件的复合终端结构及其制造方法 Next One:一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法