Language : English
YANG WEIFENG

Patents

一种含稀土栅介质层的平面型 SiC MOSFET及其制造方法

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Affilication of Author(s):电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院)

Scope of patent:国内

Patent Applicant:王鑫炜,龙明滔,冶晓峰

Type of Patent:发明专利

State of Patent:专利申请

Authorization number:202310089961.3

Service Invention or Not:yes

First Author:YANG WEIFENG