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Affilication of Author(s):电子科学与技术学院（国家示范性微电子学院）

Scope of patent:国内

Patent Applicant:王鑫炜,冶晓峰,龙明滔

Type of Patent:发明专利

State of Patent:专利申请

Authorization number:202310089969.X

Service Invention or Not:yes

First Author:YANG WEIFENG

Pre One:采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件及制备方法 Next One:一种含稀土栅介质层的平面型 SiC MOSFET及其制造方法